saltar al contingut principal
Cercar
URV

Resultats - LIME , FRANÇOIS GILBERT MARIE


LIME , FRANÇOIS GILBERT MARIE

Tesis Doctorals Dirigides / Theses 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Publicacions en Revista / Papers 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Títol: A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs
Autors: Lime, F.;Ávila-Herrera, F.;Cerdeira, A.;Iñiguez, B.
Any: 2017 Clau: Article
Revista: Solid-State Electronics (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: Crystalline-like temperature dependence of the electrical characteristics in amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistors
Autors: Estrada, M.; Hernandez-Barrios, Y.; Cerdeira, A.; Ávila-Herrera, F.; Tinoco, J.; Moldovan, O.; Lime, F.; Iñiguez, B.
Any: 2017 Clau: Article
Revista: Solid-State Electronics (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: A quantum wave based compact modeling approach for the current in ultra-short DG MOSFETs suitable for rapid multi-scale simulations
Autors: Hosenfeld, F.; Horst, F.; Kloes, A.; Iñíguez, B.; Lime, F.
Any: 2017 Clau: Article
Revista: Solid-State Electronics (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: Experimentally verified drain-current model for variable barrier transistor
Autors: Moldovan, O.; Lime, F. ; Barraud, S. ; Smaani, B. ; Latreche, S. ; Iñiguez, B.
Any: 2015 Clau: Article
Revista: Electronics Letters (ISI)
País: ANGLATERRA
Títol: A complete and Verilog-A compatible Gate-All-Around long-channel junctionless MOSFET model implemented in CMOS inverters
Autors: Oana Moldovan;François Lime;Benjamin Iñiguez
Any: 2015 Clau: Article
Revista: Microelectronics Journal (ISI)
País: ANGLATERRA
Títol: A compact explicit model for long-channel gate-all-around junctionless MOSFETs. Part II: Total charges and intrinsic capacitance characteristics
Autors: Moldovan, O. , Lime, F. , Iniguez, B.
Any: 2014 Clau: Article
Revista: IEEE Transactions on Electron Devices (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: A compact explicit model for long-channel gate-all-around junctionless MOSFETs. Part I: DC characteristics
Autors: Lime, F. , Moldovan, O. , Iniguez, B.
Any: 2014 Clau: Article
Revista: IEEE Transactions on Electron Devices (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: A simple compact model for long-channel junctionless Double Gate MOSFETs
Autors: Lime, F.; Santana, E.; Iñiguez, B.
Any: 2013 Clau: Article
Revista: Solid-State Electronics (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: Modeling of low frequency noise in FD SOI MOSFETs
Autors: El Husseini, J.; Martinez, F.; Valenza, M.; Ritzenthaler, R.; Lime, F.; Iñiguez, B.; Faynot, O.; Le Royer, C.; Andrieu, F.
Any: 2013 Clau: Article
Revista: Solid-State Electronics (ISI)
País: ESTATS UNITS D'AMÈRICA
Títol: Compact modeling of double and tri-gate MOSFETs
Autors: Iñiguez, B.; Ritzenthaler, R.; Lime, F.
Any: 2013 Clau: Article
Revista: International Journal of High Speed Electronics and Systems
País:
Llibres / Books 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Capítols de Llibre / Book chapters 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Altres Documents / Other documents 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Patents Sol.licitades / Patents 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Congressos / Conferences 
2013 2014 2015 2016 2017 2018
Autor/a: Fabian Horst ; Atieh Farokhnejad ; Michael Graef ; Fabian Hosenfeld ; Gia Vinh Luong ; Chang Liu ; Qing-Tai Zhao; Francois Lime; Benjamin Iniguez; Alexander Kloes
Títol: DC/AC Compact Modeling of TFETs for Circuit Simulation of Logic Cells Based on an Analytical Physics-Based Framework
Congrés/acte: 2017 Austrochip Workshop on Microelectronics (Austrochip)
Lloc de celebració: Linz
Any: 2017
Autor/a: A. Farokhnejad ; M. Graef ; F. Horst ; C. Liu ; Q.T. Zhao ; B. Iñíguez ; F. Lime ; A. Kloes
Títol: Compact modeling of intrinsic capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
Congrés/acte: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
Lloc de celebració: Athens
Any: 2017
Autor/a: Hosenfeld, F., Graef, M., Horst, F., Kloes, A., Iniguez, B., Lime, F.
Títol: Modeling approach for rapid NEGF-based simulation of ballistic current in ultra-short DG MOSFETs
Congrés/acte: 23rd International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, MIXDES 2016;
Lloc de celebració: Lodz
Any: 2016
Autor/a: Oana Moldovan,François Lime, Benjamin Iñiguez
Títol: Explicit analytical charge and capacitance models for Junctionless Surrounding Gate Transistors
Congrés/acte: EUROSOI 2014
Lloc de celebració: Tarragona
Any: 2014
Autor/a: Moldovan, O.; Lime, F.; Barraud, S.; Iñiguez, B.
Títol: A Simple Analytical Variable Barrier Transistor Drain Current Model Matched Against Experimental Data
Congrés/acte: ISDRS 2013 International Semiconductor Device Research Symposium
Lloc de celebració: Maryland
Any: 2013